Samsung 850 Evo SSD Series 250GB SATA3 Reacondicionado

Los nuevos Samsung SSD 850 EVO de mayor calíbre con una mejora de rendimiento y resistencia. Características: Tecnología 3D V-NAND 3D V-NAND es la nueva arquitectura de las memorias flash unica y exclusiva de Samsung, que supera la limitación de la densidad y la resistencia de la arquitectura NAND convencional.
3D V-NAND se fabrica ampliando 32 capas de células verticalmente una sobre la otra, en lugar de disminuir las dimensiones de las células. TurboWrite Lograr el mayor rendimiento de lectura/escritura no es una taréa facil.
De esta manera Samsung a introducido en la tecnología TurboWrite que ofrece un 10% mas de rendimiento en un SSD 850 EVO que cualquier usuario con un SSD 840 EVO.
El 850 EVO ofrece una velocidad superior,  540MB/s de lectura y 520MB/s de escritura. Modo RAPID El software Magician de Samsung hace que su SSD rinda al maximo, gracias a su incremento en la memoria caché de hasta 4GB. AES256 El 850 EVO viene fortificado con el ultimo motor de cifrado basado en hardware.
La tecnología de encriptación AES 256bits protege los datos sin ninguna degradación del rendimiento y cumple con TCG Opal 2.0.
Tambien es compatible con es estandard Microsoft IEEE1667 lo que sus datos estaran siempre protegidos. Especificaciones: Capacidad 250GB Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm) Interfaz SATA 6Gb/s  SATA 3Gb/s  SATA 1.5Gb/s Formato 2.5 inch Controller 250: Samsung MGX controller NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND DRAM Memoria Caché 512MB (250GB) Rendimiento Lectura Secuencial Max.
540 MB/s Escritura Secuencial Max.
520 MB/s 4KB Lectura Aleatoria(QD1) Max.
10,000 IOPS 4KB Escritura Aleatoria (QD1) Max.
40,000 IOPS 4KB Lectura Aleatoria (QD32) Max.
97,000 IOPS(250GB) 4KB Escritura Aleatoria (QD32) Max.
88,000 IOPS(250GB) Cifrado AES 256-bit Encriptado completo (FDE) TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) Peso.
66g VIda Utíl MTBF: 1.5 million hours TBW 250: 75TBW Idle: Max.
50mW Modo Hibernación: 2mW(250GB) Temperatura Operativa: 0°C to 70°C No-Operativo: -40°C to 85°C Humedad 5% a 95% No-condensada Vibración no operativo: 20~2000Hz, 20G Golpe No operativo: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis
 Más información en la web del fabricante:http://www.samsung.com/es/consumer/pc-peripherals-printer/memory-storage/ssd/MZ-7TE250BW
Garantía: 2 años.

Los nuevos Samsung SSD 850 EVO de mayor calíbre con una mejora de rendimiento y resistencia.

Características:
Tecnología 3D V-NAND 3D V-NAND es la nueva arquitectura de las memorias flash unica y exclusiva de Samsung, que supera la limitación de la densidad y la resistencia de la arquitectura NAND convencional.
Tambien es compatible con es estandard Microsoft IEEE1667 lo que sus datos estaran siempre protegidos.

Especificaciones:
Capacidad 250GB Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm) Interfaz SATA 6Gb/s  SATA 3Gb/s  SATA 1.5Gb/s Formato 2.5 inch Controller 250: Samsung MGX controller NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND DRAM Memoria Caché 512MB (250GB) Rendimiento Lectura Secuencial Max.
50mW Modo Hibernación: 2mW(250GB) Temperatura Operativa: 0°C to 70°C No-Operativo: -40°C to 85°C Humedad 5% a 95% No-condensada Vibración no operativo: 20~2000Hz, 20G Golpe No operativo: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis
Tecnología 3D V-NAND 3D V-NAND es la nueva arquitectura de las memorias flash unica y exclusiva de Samsung, que supera la limitación de la densidad y la resistencia de la arquitectura NAND convencional.
3D V-NAND se fabrica ampliando 32 capas de células verticalmente una sobre la otra, en lugar de disminuir las dimensiones de las células.

TurboWrite Lograr el mayor rendimiento de lectura/escritura no es una taréa facil.
88,000 IOPS(250GB)
Lectura Secuencial Max.